Diody Schottkyego
Diody Schottkyego to odmiana diod półprzewodnikowych, które zawierają w sobie złącza półprzewodnikowe. Są to złącza typu n oraz typu p, tworząc razem tak zwane złącze n-p.
Jednak w diodach Schottkyego złącze p-n zastąpiono złączem metalu-półprzewodnika. Metale półprzewodniki pokryte są metalem płytki z półprzewodnika i posiadają dwie charakterystyki prądowo – napięciowe. Jedna z nich jest liniowa i posiada złącze o charakterze omowym, a stosowana w przypadku diody Schottkyego nieliniowa ma charakter prostujący.
Dioda Schottkyego ma bardzo małą pojemność łącza, dzięki temu rozwiązaniu typowy czas przełączania wynosi jednie 100ps.
Opisywane diody są alternatywą dla diod germanowych, gdy niezbędne jest otrzymanie niskiego napięcia o wysokiej częstotliwości dochodzącej nawet do 100Ghz. Diody te działają na nośnikach większościowych, odznaczają się zatem bardzo krótkimi czasami przełączania i nadają się doskonale do zastosowań w układach bardzo wielkiej częstotliwości i układach przełączających. Oprócz tego mają one o wiele mniejsze napięcie przewodzenia niż diody krzemowe.
Wynalazcą tego niezwykle przydatnego zjawiska był urodzony 23 czerwca 1886 Walter Hermann Schottky, był to niemiecki fizyk pracujący od 1919 roku dla firmy Siemens. Swoją teorię sformułował w 1939 roku nazywając ją teorią Schottkyego, która do dzisiaj jest główną teorią stosowaną w tego rodzaju diodach.